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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39,6A; Idm: 80A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIDR610DP-T1-RE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIDR610DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 39,6A
Widerstand im Leitungszustand: 33,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 38nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 80A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 200v
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.