Startseite > Elektronik, Elektrotechnik > Aktive Bauelemente > Gleichrichter Transistoren Dioden > Transistor > SMD-Transistor > Artikel

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A

Menge:

Packungen

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8WUGW-SIDR680DP-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIDR680DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 3,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 105nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 200A

... > FET-Transistoren > N-Kanal-Transistoren > N-Kanal-Transistoren SMD

Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 100a

Angebote (2)

Lagerstand

Mind.-Menge

Einheit

Versand

Staffelpreis

Einzelpreis

Lager 1331

39 Tage

nicht lagernd

pro Stück

€ 7,95*

ab € 1,4271*

€ 3,3307*

Lager 8WUGW

600

pro Packung

€ 7,90*

ab € 9,11*

€ 10,48*

Artikel empfehlen

Artikel merken

Preise: Lager 8WUGW

Bestellmenge	Netto	Brutto	Einheit

ab 600 Packungen	€ 10,48*	€ 12,576	pro Packung
ab 15000 Packungen	€ 9,11*	€ 10,932	pro Packung
1 Packung enthält 5 Stück (ab € 1,822* pro Stück)
Bestellungen nur in Vielfachen von 600 Packungen
Mindestbestellmenge: 600 Packungen ( entspricht € 6.288,00* zzgl. MwSt. )

Lagerstand: Lager 8WUGW

Versand: Lager 8WUGW

Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.

Bestellwert	Versand
ab € 0,00*	€ 7,90*

Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 8WUGW

Dieser Artikel ist von der Stornierung, dem Umtausch und der Rückgabe ausgeschlossen.
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.