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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,8A; Idm: 5A; 62,5W

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SIHD2N80E-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHD2N80E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 1,8A
Widerstand im Leitungszustand: 2,75Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 62,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 19,6nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 5A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor

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