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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3,4A; Idm: 10A; 104W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHD5N50D-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHD5N50D-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 3,4A
Widerstand im Leitungszustand: 1,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 20nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 10A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet dpak
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