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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9,6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP

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Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8WUGW-SIHF15N60E-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHF15N60E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay

Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220FP
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 9,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 34W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 78nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 39A

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Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet

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