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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHH11N60EF-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHH11N60EF-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 8x8L
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 7A
Widerstand im Leitungszustand: 357mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 114W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 62nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 27A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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