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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 92,4A; Idm: 150A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIJ188DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIJ188DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 92,4A
Widerstand im Leitungszustand: 4,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 65,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 44nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 150A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 60v
Die Konditionen im Überblick1
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UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.