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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIR608DP-T1-RE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR608DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 45V
Drainstrom: 208A
Widerstand im Leitungszustand: 1,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 167nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 400A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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