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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34,4A; Idm: 80A

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SIR690DP-T1-RE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIR690DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 34,4A
Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 48nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 80A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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