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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A

Menge:

Stück

Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SIRA00DP-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIRA00DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 1,35mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 66,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,22µC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 400A

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