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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W

Menge:

Stück

Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SIRA18BDP-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIRA18BDP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 32A
Widerstand im Leitungszustand: 10,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 11W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 19nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 90A

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Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, 40a mosfet

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