Kategorien
Mein Mercateo
Anmelden / Registrieren
Warenkorb
 
 

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14,2A; Idm: 60A; 2W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SISH112DN-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SISH112DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 1212-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 14,2A
Widerstand im Leitungszustand: 8,2mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 60A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 11a
Angebote (2)
Lagerstand
Versand
Staffelpreis
Einzelpreis
^
Lager 8WUGW
€ 7,90*
ab € 0,87*
€ 1,91*
40 Tage
nicht lagernd
€ 7,95*
ab € 0,57357*
€ 2,1083*
Preise: Lager 8WUGW
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Stück
€ 1,91*
€ 2,29
pro Stück
ab 5 Stück
€ 1,72*
€ 2,06
pro Stück
ab 10 Stück
€ 1,63*
€ 1,96
pro Stück
ab 25 Stück
€ 1,42*
€ 1,70
pro Stück
ab 50 Stück
€ 1,30*
€ 1,56
pro Stück
ab 100 Stück
€ 1,13*
€ 1,36
pro Stück
ab 200 Stück
€ 1,10*
€ 1,32
pro Stück
ab 500 Stück
€ 1,09*
€ 1,31
pro Stück
ab 30000 Stück
€ 0,87*
€ 1,04
pro Stück
Lagerstand: Lager 8WUGW
Versand: Lager 8WUGW
Lassen Sie sich detailliertere Lagerstands-Informationen anzeigen.
Bestellwert
Versand
ab € 0,00*
€ 7,90*
Rückgaberechte für diesen Artikel: Lager 8WUGW
Dieser Artikel ist von der Stornierung, dem Umtausch und der Rückgabe ausgeschlossen.
Die Gewährleistungsfrist laut AGB bleibt unabhängig der angegebenen Rückgaberechte bestehen.
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.