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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,25A; 13,6W; PowerPAK® SC70

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SQA470EEJ-T1-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SQA470EEJ-T1_GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SC70
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 2,25A
Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 13,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 4,1nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±12V

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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