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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STB13N60M2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB13N60M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: SuperMesh™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
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