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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 125W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STB23NM50N
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STB23NM50N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,19Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
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