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Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; D2PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGB10M65DF2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGB10M65DF2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 40A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 115W
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 28nC
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