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Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO247-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGWA30M65DF2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWA30M65DF2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 30A
Kollektorstrom im Impuls: 120A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 258W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 80nC
Weitere Suchbegriffe: igbt
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