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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGWT40H65DFB
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGWT40H65DFB
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
stmicroelectronics transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO3P
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 40A
Kollektorstrom im Impuls: 160A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 283W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 0,21µC
Weitere Suchbegriffe: igbt
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