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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7,6A; 190W; ESD


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP13N80K5
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP13N80K5
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 7,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 190W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Ausführung: ESD
Technologie: SuperMESH5™
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, Z-Diode, Zenerdiode, diode
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