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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP18N60M2
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP18N60M2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 110W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: MDmesh™ || Plus
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 52A
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, mosfet 13a
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