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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A

Artikel-Nr.:
8WUGW-STP36N60M6

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP36N60M6

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 19A
Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 44,3nC
Technologie: MDmesh™ M6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 102A

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Weitere Suchbegriffe: mosfet

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