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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A

Artikel-Nr.:
8WUGW-STW45N60DM6

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STW45N60DM6

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 19A
Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 210W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 44nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 95A

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Weitere Suchbegriffe: mosfet

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