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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37,8A; 560W; MAX247


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37,8A; 560W; MAX247
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37,8A; 560W; MAX247
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STY60NM50
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STY60NM50
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: MAX247
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 37,8A
Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 560W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Technologie: MDmesh™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet
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