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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-TK65E10N1
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK65E10N1,S1X(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: TOSHIBA
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 148A
Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 192W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 81nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 296A
Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet
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