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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 14W; PDFN56


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktabbildung
Produktabbildung
Artikel-Nr.:
     8WUGW-TSM120N06LCR-RLG
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     TSM120N06LCR RLG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: PDFN56
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 10A
Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 14W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 36,5nC
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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