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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK

Artikel-Nr.:
8WUGW-TSM1NB60CP-ROG

Hersteller:
Taiwan Semiconductor

Herst.-Nr.:
TSM1NB60CP ROG

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet dpak

Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 0,7A
Widerstand im Leitungszustand: 10Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 39W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 6,1nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V

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