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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-VS-GT100DA120UF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     VS-GT100DA120UF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Gehäuse: SOT227B
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 100A
Kollektorstrom im Impuls: 240A
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Technologie: Trench
Weitere Suchbegriffe: igbt
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