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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 1kV; 3,3A; Idm: 18A; 86W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-WMO10N100C2-CYG
Hersteller:
     WAYON
Herst.-Nr.:
     WMO10N100C2
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: WAYON
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 1kV
Drainstrom: 3,3A
Widerstand im Leitungszustand: 1,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 86W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 18,8nC
Technologie: WMOS™ C2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 18A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet to252, smd transistor
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