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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1,5A; 0,625W; SOT26


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-ZXM62P03E6TA
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     ZXM62P03E6TA
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT26
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -1,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,23Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,625W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet 30v
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