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Infineon IPB065N10N3 G Transistor 55 V


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Produktinformationen
Infineon IPB065N10N3 G Transistor 55 V
Infineon IPB065N10N3 G Transistor 55 V
Artikel-Nr.:
     CIDE8-79087029
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB065N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Weitere Informationen:
Merkmale
Spannung
55 V
Leistung
150 W
Widerstand
0.0575 mΩ
Betriebstemperatur
-55 - 175 °C
Zertifizierung
RoHs
Die Konditionen im Überblick1
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