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Thyristor; 1,6kV; Ifmax: 63A; 40A; Igt: 50/80mA; ISO247™; THT; Tube (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISO247™ Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsstrom max.: 63A Vorwärtsstrom: 40A Gatestrom: 50/80mA Strom im max. Impuls: 470A Verpackungs-Art: Tube Typ des Thyris...
IXYS
CMA40E1600HR
ab € 4,37*
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Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268HV Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 250V Drainstrom: 150A Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 735...
IXYS
IXFT150N25X3HV
ab € 17,50*
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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO252 Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 2,4Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 114W P...
IXYS
IXFY4N60P3
ab € 0,69*
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Transistor: IGBT x4; 2,5kV; 4A; 100W; SMPD; Topologie: Brücke H (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 4A Kollektorstrom im Impuls: 105A Anschaltzeit: 217ns Ausschaltz...
IXYS
MMIX4G20N250
ab € 66,50*
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Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 220ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 98A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 960...
IXYS
IXFH98N60X3
ab € 10,28*
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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 62A; SMPD-B (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD-B Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Drain-Source Spannung: 1,2kV Drainstrom: 62A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET P...
IXYS
MCB60P1200TLB-TUB
ab € 248,39*
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Transistor: IGBT; 2,5kV; 13A; 150W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 13A Kollektorstrom im Impuls: 8A Ausschaltzeit: 350ns Transis...
IXYS
IXGH4N250C
ab € 9,50*
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Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Bereitschaftszeit: 140ns Drain-Source Spannung: 650V Drainstrom: 54A Widerstand im Leitungszustand: 59mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625...
IXYS
IXFH54N65X3
ab € 7,38*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263-7 Bereitschaftszeit: 77ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 9,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36...
IXYS
IXTA130N10T7
ab € 2,23*
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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 105A Kollektorstrom im Impuls: 700A Anschaltzeit: 105ns Ausschal...
IXYS
MMIX1G120N120A3V1
ab € 49,64*
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Triac; 1,6kV; 40A; TO247-3; Igt: 70/90mA; Ifsm: 325A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsstrom max.: 40A Gatestrom: 70/90mA Strom im max. Impuls: 325A Verpackungs-Art: Tube Typ des Thyristors: Triac
IXYS
CMA80MT1600NHB
ab € 4,58*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4,5kV; 2A; 220W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i5-pac™ Bereitschaftszeit: 1,75µs Drain-Source Spannung: 4,5kV Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 20Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleist...
IXYS
IXTL2N450
ab € 109,36*
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100%
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 180A Kollektorstrom im Impuls: 1kA Anschaltzeit: 107ns Ausschaltz...
IXYS
MMIX1G320N60B3
ab € 39,95*
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100%
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; ISOPLUS220™; 430ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS220™ Bereitschaftszeit: 430ns Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 19A Widerstand im Leitungszustand: 0,125Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung:...
IXYS
IXKC19N60C5
ab € 3,05*
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100%
Transistor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 300V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 42A Kollektorstrom im Impuls: 84A Anschaltzeit: 21ns Ausschalt...
IXYS
IXGP42N30C3
ab € 1,48*
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