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  MOSFET-Transistor  (26 091 Angebote unter 17 300 038 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 12A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 530mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 500W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M80B
ab € 7,09*
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Texas Instruments CSD13383F4T N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,9 A PICOSTAR (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,9 A Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = PICOSTAR Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD13383F4T
ab € 0,48*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4,6A; TO220 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: THT Gehäuse: TO220 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4,6A Widerstand im Leitungszustand: 1,63Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Polarisierung: unipola...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT8N80
ab € 0,62*
pro Stück
 
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Toshiba THT Optokoppler DC-In / MOSFET-Out, 4-Pin DIP (1 Angebot) 
Montage Typ = THT Ausgangsschaltung = MOSFET Durchlassspannung max. = 1.8V Anzahl der Kanäle = 1 Anzahl der Pins = 4 Gehäusetyp = DIP Eingangsstrom Typ = DC
Toshiba
TLP3558A(TP1,F(O
ab € 1,49*
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Vishay E SIHB21N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 17,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17,4 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,205 Ω Gate-Schwellen...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
ab € 1,67*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 15A; Idm: 60A; 298W; TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO247-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,52Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 298W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8052BLLG
ab € 14,53*
pro Stück
 
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Texas Instruments CSD17382F4T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A PICOSTAR (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PICOSTAR Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD17382F4T
ab € 0,46*
pro Stück
 
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Toshiba TK090N65Z TK090N65Z,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
ab € 4,80*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 720mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 400W Polarisierung: unipolar ...
IXYS
IXFT14N80P
ab € 5,00*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO263 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 55A Widerstand im Leitungszustand: 7,6mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Pol...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB286L
ab € 1,09*
pro Stück
 
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Vishay E SIHD690N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 6,4 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4 A, 6,4 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,7 Ω Channel-Modus...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
ab € 0,65*
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Texas Instruments CSD17578Q3AT N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 14 A VSONP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 14 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = VSONP Montage-Typ = SMD
Texas Instruments
CSD17578Q3AT
ab € 0,73*
pro Stück
 
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 60W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 4A Widerstand im Leitungszustand: 1,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 60W Polarisier...
ST Microelectronics
STP5N80K5
ab € 0,99*
pro Stück
 
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Toshiba TK099V65Z TK099V65Z,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 5-Pin DFN8x8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DFN8x8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 5 Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω Channel-Modus = Enhanceme...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
ab € 3,54*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; Idm: 85A; 625W; D3PAK (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: SMD Gehäuse: D3PAK Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 16A Widerstand im Leitungszustand: 390mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 625W Polaris...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT24M80S
ab € 11,40*
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