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  MOSFET-Transistor  (14.325 Angebote unter 17.391.918 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"MOSFET-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 1,7A; 45W; IPAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: IPAK Drain-Source Spannung: 620V Drainstrom: 1,7A Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierun...
ST Microelectronics
STU3N62K3
ab € 0,247*
pro Stück
 
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Infineon
AUIRF5210STRL
ab € 2.350,256*
pro 800 Stück
 
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Infineon
IPT60R050G7XTMA1
ab € 9.596,18*
pro 2.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 950V; 4,5A; 150W (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 950V Drainstrom: 4,5A Widerstand im Leitungszustand: 1,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 150W Polaris...
ST Microelectronics
STP7N95K3
ab € 1,29*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
AUIRF7103QTR
ab € 2.757,12*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
TOSHIBA TK20E60W5,S1VX(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 20A, TO-220 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-22...
Toshiba
TK20E60W5,S1VX(S
ab € 1,4368*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
AUIRF7341QTR
ab € 4.079,64*
pro 4.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 525V; 2A; 45W; IPAK (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: IPAK Drain-Source Spannung: 525V Drainstrom: 2A Widerstand im Leitungszustand: 2,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 45W Polarisierung:...
ST Microelectronics
STU4N52K3
ab € 0,237*
pro Stück
 
 Stück
TOSHIBA TK25A60X,S5X(M MOSFET, N-KANAL, 600V, 25A, TO-220SIS (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-2...
Toshiba
TK25A60X,S5X(M
ab € 1,66*
pro Stück
 
 Stück
TOSHIBA TK25E60X,S1X(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 25A, TO-220 (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-2...
Toshiba
TK25E60X,S1X(S
ab € 1,79*
pro Stück
 
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Infineon CoolSiC AIMW120R080M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 34 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 34 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,08 Ω Channel-Modus = Enhancem...
Infineon
AIMW120R080M1XKSA1
ab € 1.994,9208*
pro 240 Stück
 
 Packung
Infineon
FF23MR12W1M1B11BOMA1
ab € 1.734,24*
pro 24 Stück
 
 Packung
TOSHIBA TK20V60W5,LVQ(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 20A, DFN (1 Angebot) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal B...
Toshiba
TK20V60W5,LVQ(S
ab € 1,3301*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3,8A; Idm: 14A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TSOP6 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 3,8A Widerstand im Leitungszustand: 126mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,33W Polarisierung: unipo...
Vishay
SI3474DV-T1-GE3
ab € 0,188*
pro Stück
 
 Stück
VISHAY IRF9610SPBF MOSFET, P-KANAL, 200V, 1.8A, TO-263 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3 ohm Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer...
Vishay
IRF9610SPBF
ab € 0,35*
pro Stück
 
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