MOSFET  (25 786 Angebote unter 17 326 399 Artikeln)Zum Expertenwissen

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 480 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = X2-DFN0806-6 Montage-Typ = SMD

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3 A Produktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40 V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3 A...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: TEXAS INSTRU...

Infineon Technologies IRF7402 MOSFET 1 N-Kanal 2.5W SOIC-8 Infineon Technologies IRF7402 MOSFET 1 N-Kanal 2.5W SOIC-8 Typ: IRF7402 Gehäuse: SOIC-8 Hersteller: Infineon Technologies Herst.-Abk.: INF...

MOSFET, Kleinleistungstransistor, Unisonic Technologies, 2N7000, TO-92, N-Channel für Schaltaufgaben mit kleinem Ron (1,7 Ohm) und kurzen Schaltzeiten (typ 20 ns) Technische Daten: Drain-Source-Spa...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=DI100N10PQ, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=43 ns, Ausschaltverzögerung=23 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=100...

Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: SO16-W Versorgungsspannung: 15...30V DC Ausgangsstrom: -5...2,5A Integrierten Schaltkreises-Typ: driver Impulsans...

Infineon Technologies IRF7403 MOSFET 1 N-Kanal 2.5W SOIC-8 Typ: IRF7403 Gehäuse: SOIC-8 Hersteller: Infineon Technologies Herst.-Abk.: INF Ausführung: N-Kanal I(d): 8.5 A Leistung (max) P(TOT): 2.5...

Power-MOSFET IRF9622 P-Channel, VDS 200 V, VDGR 200 V, ID 3 A, IDM 12 A, RDS(ON) 1,5 ?, P-Channel, VDS 200 V, VDGR 200 V, ID 3 A, IDM 12 A, RDS(ON) 1,5 ?, TO-220.

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 1,1 A, 800 mA Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = DMC2710 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 0,7 Ω Channel-Modus = Enhan...

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 ohm Produktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 630 m...

Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: ONSEMI Monta...

Infineon Technologies IRF7459 MOSFET 1 N-Kanal 2.5W SO-8 Infineon Technologies IRF7459 MOSFET 1 N-Kanal 2.5W SO-8 Typ: IRF7459 Gehäuse: SO-8 Hersteller: Infineon Technologies Herst.-Abk.: INF Ausfü...

Bezeichnung=MOSFET, Typ=IPI075N15N3GXKSA1, Abfallzeit=14 ns, Anstiegzeit=35 ns, Ausschaltverzögerung=46 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (...

Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 400 mA Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = X2-DFN0806-6 Montage-Typ = SMD