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  smd transistor  (12 110 Angebote unter 18 432 991 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12,2A; Idm: 50A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12,2A Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2,3W Polarisie...
Vishay
SIS406DN-T1-GE3
€ 1,13*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 26,3mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIA472EDJ-T1-GE3
€ 0,28*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 930µΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unipolar Verpackungs-A...
Vishay
SIDR392DP-T1-GE3
€ 1,23*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A; 17W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17W Polarisierung:...
Vishay
SISA96DN-T1-GE3
€ 0,69229*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 30mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 10W Polarisierung:...
Vishay
SIS822DNT-T1-GE3
€ 0,618*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 40A; 19W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Art:...
Vishay
SIA462DJ-T1-GE3
€ 0,141*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 100A Widerstand im Leitungszustand: 1,35mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 66,6W Polarisierun...
Vishay
SIRA00DP-T1-GE3
€ 2,6645*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 29,8W Polarisierung: ...
Vishay
SIR474DP-T1-GE3
€ 0,49*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 138,1A; Idm: 300A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 138,1A Widerstand im Leitungszustand: 2,03mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisie...
Vishay
SISS06DN-T1-GE3
€ 1,46*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14,2A; Idm: 60A; 2W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 14,2A Widerstand im Leitungszustand: 8,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 2W Polarisierun...
Vishay
SISH112DN-T1-GE3
€ 2,07*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 19,2W Polarisierung: unipolar Verpackungs-Ar...
Vishay
SIA432DJ-T1-GE3
€ 0,68*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 17W Polarisierung...
Vishay
SISHA14DN-T1-GE3
€ 0,25*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 18W Polarisierun...
Vishay
SISH472DN-T1-GE3
€ 1,33815*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 18W Polarisierun...
Vishay
SIS472DN-T1-GE3
€ 1,12*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 12A Widerstand im Leitungszustand: 12mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 22,2W Polarisierung: ...
Vishay
SIRA96DP-T1-GE3
€ 1,15*
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