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  smd transistor  (12 110 Angebote unter 18 433 199 Artikeln)

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"SMD-Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO252-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,536Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 51W Pol...
Infineon
IPD60R280CFD7
€ 3,76*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 66A; 540W; TO268 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO268 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 66A Widerstand im Leitungszustand: 45mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 540W Polarisierung: unipolar V...
IXYS
IXKT70N60C5
€ 22,68*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70mA; Idm: 0,2A; 1,1W; SOT23 (2 Angebote) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 70mA Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,1W Polarisi...
Diodes
DMN60H080DS-7
€ 0,51188*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisieru...
ST Microelectronics
STB13N60M2
€ 3,25*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,2A; 125W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,2A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD380A60
€ 3,47*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 83W; DPAK (1 Angebot) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W Polarisieru...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB380CP ROG
€ 2,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 21A; 96W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 780mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 96W Polarisierun...
ROHM Semiconductor
R6007JNJGTL
€ 3,33*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 27A; 114W (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 8x8L Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 357mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 114W Polarisierung:...
Vishay
SIHH11N60EF-T1-GE3
€ 5,90*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,9A; Idm: 36A; 125W; Power88 (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: Power88 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,299Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: uni...
onsemi
FCMT299N60
€ 4,99*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,6A; 90W; D2PAK; ESD (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7,6A Widerstand im Leitungszustand: 0,295Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisie...
ST Microelectronics
STB18N60DM2
€ 3,45*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,24Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 89W Polarisierung: u...
Vishay
SIHJ240N60E-T1-GE3
€ 3,61*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8,5A; 160W; D2PAK; ESD (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 8,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polarisier...
ST Microelectronics
STB14NK60ZT4
€ 3,43*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 7A Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 110W Polarisierun...
ST Microelectronics
STD13N60M2
€ 2,0968*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK (3 Angebote) 
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 0,7A Widerstand im Leitungszustand: 10Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 39W Polarisieru...
Taiwan Semiconductor
TSM1NB60CP ROG
€ 0,73*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IPD60R280P7 Transistor 600 V (2 Angebote)
Infineon
IPD60R280P7ATMA1
€ 0,52*
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