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  transistoren, igb  (2 846 Angebote unter 17 367 383 Artikeln)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-ECONO3-3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 75A Kollektorstrom ...
Infineon
FP75R12KT4
ab € 210,74*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV; SMT (1 Angebot) 
Achtung! Das Produkt steht nur in der im Lagerbestand verfügbaren Menge zum Verkauf. Im Fall der Bestellung einer größeren Menge, wird diese zur verfügbaren Menge geändert. Hersteller: IXYS Gehäuse...
IXYS
IXA20PG1200DHGLB
ab € 8,01*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 650V Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GLQ65JU3
ab € 24,89*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 186A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GBD126D 22891102
ab € 137,66*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; HIPAK (1 Angebot) 
Hersteller: ABB Gehäuse: HIPAK Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 800A Kollektorstrom im Impuls: 1,6kA Elektr...
ABB
5SNE 0800M170100
ab € 1 030,31*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,buck chopper; 290W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impuls: 150A Ver...
IXYS
MIXA60HU1200VA
ab € 22,62*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 65A Anwendung: Wechselrichter Elektris...
IXYS
VUI30-12N1
ab € 29,34*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper x2,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom im Impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGL60DDA120T3G
ab € 74,72*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SimBus F Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 250A Kollektorstrom im Impuls: 500A Ver...
IXYS
MIXA225RF1200TSF
ab € 55,72*
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91%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,NTC Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGLQ100DA120T1G
ab € 68,29*
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91%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; asymmetrische Brücke; Urmax: 600V (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SP4 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impu...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGT150DH60TG
ab € 116,66*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS 27890103
ab € 138,15*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL12E4S 27890220
ab € 221,06*
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91%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 300A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX452GAL126HDS 27890685
ab € 270,51*
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91%
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper,Thermistor; Ic: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im Impul...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12E4S 27890102
ab € 126,69*
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