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  transistoren, igb  (2.834 Angebote unter 17.281.927 Artikeln)

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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 695W (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: V1-A-Pack Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 175A Kollektorstrom im Impuls: 450A An...
IXYS
MIXA150R1200VA
ab € 25,99*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im Impuls: 3...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG15P12P2
ab € 16,32*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL12T4 22892320
ab € 126,48*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstrom im Im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GAL12VL2 22895560
ab € 82,45*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im Impuls: 5...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG25P12P3
ab € 22,11*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 11NAB12T7V1 25232040
ab € 76,38*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 100A Kollektorstrom im ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100GT120JU2
ab € 38,65*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 21A (1 Angebot) 
Hersteller: POWERSEM Gehäuse: ECO-PAC 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 21A Kollektorstrom im Impuls: 35A ...
Powersem
PSSI 25/12
ab € 10,57*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Leistung: 7kW Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kolle...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 23NAB126V20 25231220
ab € 129,37*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 15A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 22NAB12T4V2 25232140
ab € 105,61*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 10A (1 Angebot) 
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY Gehäuse: P2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Impuls: 2...
YANGJIE TECHNOLOGY
MG10P12P2
ab € 13,34*
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im I...
MICROCHIP (MICROSEMI)
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 35A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 34NAB12T7V1 25231230
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Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 25A (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 25A Kollektorstrom im I...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 23NAB12T7V1 25231860
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Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Diode/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 15A Kollektorstrom im I...
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