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  transistoren, igb  (2.839 Angebote unter 17.392.858 Artikeln)

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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 123A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 123A Kollektorstrom...
MICROCHIP (MICROSEMI)
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ab € 38,60*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±30V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
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ab € 32,26*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 158A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 158A Kollektorstrom...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT200GN60JDQ4
ab € 46,88*
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91%
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 900V; Ic: 32A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 900V Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 32A Kollektorstrom i...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90J
ab € 39,02*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 46A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 46A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GP60JDQ2
ab € 32,03*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 60A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 60A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
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ab € 35,49*
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Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Gehäuse: SOT227B Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 68A Kollektorstrom ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GP60J
ab € 40,96*
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91%
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GB12E4S 27890120
ab € 297,14*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX703GB126HDS 27890700
ab € 584,38*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GB066HDS 27891132
ab € 407,84*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY750-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektor...
Infineon
FS20R06VE3
ab € 21,63*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX1S Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 150A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GB17E4S 27892100
ab € 197,93*
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91%
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 4s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX604GB17E4S 27892140
ab € 734,95*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GB17E4P 27895404
ab € 537,89*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GB17E4DP 27895414
ab € 557,25*
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