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  transistoren, igb  (2 834 Angebote unter 17 428 553 Artikeln)

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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 225A Kollektorstrom i...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 4s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GB12E4P 27895000
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMIX2S Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 300A Kollektorstrom im ...
SEMIKRON DANFOSS
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
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Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 4s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstrom i...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: Y3-DCB Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 220A Kollektorstrom im Impuls: 400A ...
IXYS
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 400A Kollektorstro...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 39GB12VV1 25241220
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3s Rückspannung max.: 1,7kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 450A Kollektorstrom i...
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Gehäuse: SimBus F Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Elektrische Montage: Press-in PCB Mechanische Montage: schraubbar Modul-Typ: IGBT Technol...
IXYS
MIXG330PF1200PTSF
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: MiniSKiiP® 2 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorstro...
SEMIKRON DANFOSS
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMITRANS3 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom ...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GB12E4 22892092
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Hersteller: SEMIKRON DANFOSS Gehäuse: SEMiX® 3p Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 600A Kollektorstrom i...
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SEMIX603GB12M7P 27895100
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