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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2251951
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     BSS123
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 170 mA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 360 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 V
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, feldeffekttransistor, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, BSS123, 2251951, 225-1951
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