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VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET, P-KANAL, 20V, SC-70


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-2283656
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA445EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 19 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500 mV
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIA445EDJ-T1-GE3, 2283656, 228-3656
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