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VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3 MOSFET P-KANAL -20V, -12A, POWERPAK SC70


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2679708
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA433EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Verlustleistung: 19 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIA433EDJ-T1-GE3, 2679708, 267-9708
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