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VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3. P CHANNEL MOSFET, TRANSISTOR POLARITY:P


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331N-1867633
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA433EDJ-T1-GE3.
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
  • Kanaltyp: P Channel
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 20 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Produktpalette: TrenchFET Series
  • Dauer-Drainstrom Id: 12 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 ohm
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Verlustleistung: 3.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500 mV
  • Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • RoHS konform: Ja
  • Hinweis: Detailbild zum Produkt kann vom Original abweichen.

    Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, igbt, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIA433EDJ-T1-GE3., 1867633, 186-7633
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