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VISHAY SQ2318AES-T1_GE3 MOSFET, AUTO, N-KANAL, 60V, 2.3A, SOT-23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2617105
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ2318AES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 3.3 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQ2318AES-T1_GE3, 2617105, 261-7105
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