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| Artikel-Nr.: 1331-2747682 Herst.-Nr.: SIZ926DT-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60 AProduktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0038 ohmKanaltyp: n-Kanal + Schottky Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0038 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 40 WVerlustleistung, p-Kanal: 40 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAIR Qualifikation: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SIZ926DT-T1-GE3, 2747682, 274-7682 |
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