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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 40/60A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIZ926DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZ926DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
mosfet vishay
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 25V
Drainstrom: 40/60A
Widerstand im Leitungszustand: 7,9/3,35mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 20,2/40W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 19/41nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 100...170A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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