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| Artikel-Nr.: 1331-2889717 Herst.-Nr.: SIA517DJ-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5 AProduktpalette: TrenchFET Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024 ohmKanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 6.5 WVerlustleistung, p-Kanal: 6.5 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, VISHAY, SIA517DJ-T1-GE3, 2889717, 288-9717 |
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