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VISHAY SIS472BDN-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 30V, 38.3A, 150°C


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     1331-2932954
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIS472BDN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 ohm
  • Produktpalette: TrenchFET Gen IV
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 38.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 19.8 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 V
  • SVHC: Lead (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS472BDN-T1-GE3, 2932954, 293-2954
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