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VISHAY SIDR638DP-T1-RE3 MOSFET, N-KANAL, 40V, 100A, 150°C, 125W


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     1331-3263508
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIDR638DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730 µohm
  • Produktpalette: TrenchFET Gen IV
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 100 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK SO
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 125 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 100a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIDR638DP-T1-RE3, 3263508, 326-3508
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